FP2189
1瓦HFET
典型的射频性能
漏极偏置= 8 V，I
ds
= 250毫安， 25
°
C
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
（ +15 dBm的/音， 1 MHz的间距）
通信EDGE
TM
产品信息
参考设计： 3400 - 3600兆赫
应用电路被匹配为输出功率。
S-参数
20
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
3400
12.6
-15
-7.6
+30.9
+43.8
3500
13.0
-28
-7.9
+30.9
+43.6
3600
12.9
-12
-9.1
+30.8
+43.8
10
（ dB）的
0
-10
-20
-30
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
频率（GHz ）
3.7
3.8
DB(|S[1,1]|)
DB(|S[2,1]|)
DB （ | S [ 2,2] | ）
3.4 - 3.6 GHz的参考电路如图仅作为设计目的。一
评估板是不容易获得这种应用。读者可以
获得FP2189 - PCB2140S评估板和电路修改
示以实现在该参考设计中所示的性能。
VDS = 8V @ 250毫安
-Vgg
水库
ID = R1
R = 20欧姆
帽
ID=C8
C = pF的1E4
帽
ID=C6
C = 1000 pF的
帽
ID=C7
C = 22 pF的
IND
ID=L1
L = 5.6 nH的
SUBCKT
ID=Q1
NET="FP2189"
水库
ID=R2
R = 6.2欧姆
1
2
帽
ID=C3
C = 33 pF的
帽
ID = C2
C = pF的DNP
PORT
P=1
Z = 50欧姆
帽
ID = C1
C = 22 pF的
IND
ID = L3
L = 2.7 nH的
IND
ID = L2
L = 15 nH的
PORT
P=2
Z = 50欧姆
帽
ID=C10
C = 0.3 pF的
帽
ID=C4
C = 1 0.1 pF的
帽
ID=C5
C = 0.7 pF的
帽
ID = C9
C = 22 pF的
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C7, C9
C3
C4
C5
C6
C8
C10
L1
L2
L3
R1
R2
Q1
C2
14万GETEK
TM
ML200DSS （ ε
r
= 4.2)
主微带线具有50的线阻抗。
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
WJ通信公司
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电话1-800- WJ1-4401
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第10页12的
2006年10月
价值
22 pF的
33 pF的
1.1 pF的
0.7 pF的
1000 pF的
0.1
µF
0.3 pF的
5.6 nH的
15 nH的
2.7 nH的
20
6.2
FP2189
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
多层片式电感器
多层片式电感器
多层片式电感器
贴片电阻
贴片电阻
WJ 1W HFET
不要将
SIZE
0603
0805
0603
0603
0603
1206
0603
0603
0603
0603
0603
0603
SOT-89
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
