FP2189
1瓦HFET
典型的射频性能
漏极偏置= 8 V，I
ds
= 250毫安， 25
°
C
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
（ +15 dBm的/音， 1 MHz的间距）
通信EDGE
TM
产品信息
参考设计： 2400至2600年兆赫
应用电路被匹配为输出功率。
S-参数
20
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
2400
12.9
-14.5
-7.9
+31.1
+45.0
2500
13.0
-26
-9.6
+31.2
+45.3
2600
12.6
-15
-11.4
+30.8
+47.0
10
DB(|S[1,1]|)
DB(|S[2,1]|)
DB(|S[2,2]|)
（ dB）的
0
-10
-20
-30
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
频率（GHz ）
2.7
2.8
2.4 - 2.6 GHz的参考电路如图仅作为设计目的。一
评估板是不容易获得这种应用。读者可以
获得FP2189 - PCB2140S评估板和电路修改
示以实现在该参考设计中所示的性能。
帽
ID=C3
C = 33 pF的
VDS = 8V @ 250毫安
帽
ID=C8
C = pF的1E4
-Vgg
水库
ID = R1
R = 10欧姆
帽
ID=C2
C = pF的DNP
帽
ID=C6
C = 22 pF的
帽
ID=C7
C = 1000 pF的
TLIN
ID = TL2
Z0 = 50欧姆
EL = 23.5度
F0 = 2400 MHz的
IND
ID = L2
L = 18 nH的CAP
ID=C9
C = 22 pF的
IND
ID=L1
L = 5.6 nH的
PORT
P=1
Z = 50欧姆
帽
ID=C1
C = 22 pF的
TLIN
ID=TL1
Z0 = 50欧姆
EL = 11.8度
F0 = 2400 MHz的
SUBCKT
ID=Q1
NET="FP2189"
水库
ID=R2
R = 5.6欧姆
1
2
PORT
P= 2
Z = 50欧姆
帽
ID=C4
C = pF的DNP
帽
ID=C11
C = 1.8 pF的
帽
ID=C5
C = 1.3 pF的
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C6, C9
C3
C5
C11
C7
C8
L1
L2
R1
R2
Q1
C2, C4
价值
22 pF的
33 pF的
1.3 pF的
1.8 pF的
1000 pF的
0.1
µF
5.6 nH的
18 nH的
10
5.6
FP2189
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
多层片式电感器
多层片式电感器
贴片电阻
贴片电阻
WJ 1W HFET
不要将
SIZE
0603
0805
0603
0603
0603
1206
0603
0603
0603
0603
SOT-89
14万GETEK
TM
ML200DSS （ ε
r
= 4.2)
主微带线具有50的线阻抗。
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
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2006年10月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
