MT88E39
绝对最大额定值*
-
电压是相对于V
SS
除非另有说明。
参数
1
2
3
4
5
直流电源电压V
DD
到V
SS
任何引脚电压
目前在任一引脚（除V
DD
和V
SS
)
储存温度
封装功耗
符号
V
DD
V
P
I
I / O
T
ST
P
D
-65
分钟。
-0.3
-0.3
马克斯。
6
数据表
单位
V
V
mA
°C
mW
V
DD
+0.3
±10
+150
500
*超过这些数值可能会造成永久性的损害。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
推荐工作条件
- 电压是相对于地面（V
SS
），除非另有说明。
特征
1直流电源电压
2时钟频率
3公差时钟频率
4工作温度
DC电气特性
†
特征
1
2
S
U
P
P
L
Y
博士
CD ，
数据显示，
DCLK
符号。
V
DD
f
OSC
= FC
分钟。
2.7
典型值。
3.579545
马克斯。
5.5
±0.2
单位
V
兆赫
%
°C
测试条件
-40
+85
符号。
I
DDQ
I
DD
分钟。
TYP 。 *
0.1
1.2
1.9
马克斯。
15
2.0
3.0
单位
µA
mA
mA
mA
mA
TEST
条件
注：* 1
注* 2
待机电源电流
工作电源电流
V
DD
= 3.0 V, 25
o
C
V
DD
= 5.0 V, 25
o
C
灌电流
源出电流
数据
DCLK （模式0 ）
DR ， CD （模式1 ）
输出高阻电流
（模式0 ）
施密特输入高门槛
施密特输入低阈值
施密特迟滞
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入电流
输出电压
输出电阻
3
4
I
OL
I
OH
2.5
0.8
V
OL
= 0.1 V
DD
V
OH
= 0.9 V
DD
5
6
DR ，CD
I
OZ
V
T+
V
T-
V
HYS
V
IH
V
IL
I
IN
V
REF
0.5*V
DD
- 0.1
R
REF
0.48*V
DD
0.28*V
DD
0.2
0.7*V
DD
V
SS
10
0.68*V
DD
0.48*V
DD
µA
V
V
V
V
OZ
=V
SS
到V
DD
7
8
9
10
11
PWDN ，
DCLK
（模式
1)
模式
PWDN ，
DCLK ，
模式
VREF
V
DD
0.3*V
DD
10
0.5*V
DD
+ 0.1
2
V
µA
V
k
Ω
V
SS
≤
V
IN
≤
V
DD
空载
‡ DC电气特性在推荐工作条件，除非另有说明。
*典型的科幻居雷什是在25
°
C和只用于辅助设计。
注1 ：
注2 ：
PWDN = VDD 。 FSK输入= 0毫伏有效值。数字输入在任VDD或VSS 。没有电流从输出引脚绘制。
PWDN = VSS 。 FSK输入= 0毫伏有效值。由于没有电流从Vref的， OSC2和所有数字引脚绘制。
9
卓联半导体公司
ZARLINK [ ZARLINK SEMICONDUCTOR INC ]
