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ZVN3306A 参数 Datasheet PDF下载

ZVN3306A图片预览
型号: ZVN3306A
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS FET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管PC
文件页数/大小: 3 页 / 49 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZVN3306A
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
50
g
fs
-Transconductance (mS)
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
C-Capacitance (pF)
180
160
140
V
DS=
18V
40
30
20
10
0
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
50
C
iss
5
6
7
8
9
10
V
GS
-Gate Source Voltage (Volts)
V
DS
-Drain Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
Capacitance v drain-source voltage
V
DD
=20V 30V 50V
V
GS
-Gate Source Voltage (Volts)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
I
D=
800mA
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
3-377