ZXMC4559DN8TA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ZXMC4559DN8TA
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内容描述：	互补60V增强型MOSFET [COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	10 页 / 283 K
品牌：	ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

ZXMC4559DN8

P沟道

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

门源阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

(1)

正向跨导

动态

(3)

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

(2) (3)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(1)

反向恢复时间

(3)

(1) (3)

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位条件

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

-60

-1.0

100

-1.0

0.085

0.125

7.2

= -250 A，V

=0V

=-60V, V

=0V

= 20V, V

=0V

I = -250 A，V

= V

= -10V ，我

=-2.9A

= -4.5V ，我

=-2.4A

=-15V,I

=-2.9A

1021

83.1

56.4

=-30 V, V

=0V,

f=1MHz

3.5

4.1

12.1

24.2

2.5

3.7

=-30V,V

=-5V,

=-2.9A

=-30V,V

=-10V,

=-2.9A

= -30V ，我

=-1A

6.0 , V

=-10V

-0.85

29.2

39.6

-0.95

= 25 ° C，I

=-3.4A,

=0V

= 25 ° C，I

=-2A,

的di / dt = 100A / μs的

反向恢复电荷

(3)

笔记

（1）脉冲条件下进行测定。宽度

300秒。占空比

2% .

（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。

（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。

ISSUE 5 - 2005年5月

半导体

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