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ZXMC4559DN8TA 参数 Datasheet PDF下载

ZXMC4559DN8TA图片预览
型号: ZXMC4559DN8TA
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内容描述: 互补60V增强型MOSFET [COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 10 页 / 283 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMC4559DN8
N沟道典型特征
中T = 25℃
10V
4.5V
4V
3.5V
T = 150℃
10V
4.5V
4V
3.5V
3V
2.5V
V
GS
2V
I
D
漏电流( A)
1
3V
I
D
漏电流( A)
10
10
1
0.1
0.1
V
GS
0.01
0.1
1
10
2.5V
0.01
0.1
1
10
V
DS
漏源极电压( V)
V
DS
漏源极电压( V)
输出特性
1.4
输出特性
V
GS
= 10V
I
D
= 4.5A
R
DS ( ON)
归一化ř
DS ( ON)
和V
GS ( TH)
10
I
D
漏电流( A)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
0
T = 150℃
1
中T = 25℃
V
GS ( TH)
V
GS
= V
DS
I
D
= 250uA
0.1
V
DS
= 10V
0.01
2
3
4
5
50
100
150
V
GS
栅源电压( V)
TJ结温( ° C)
典型的传输特性
R
DS ( ON)
漏源导通电阻
(Ω)
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
2.5V
V
GS
3V
3.5V
4V
4.5V
10V
中T = 25℃
归一化曲线V温度
100
I
SD
反向漏电流( A)
T = 150℃
10
1
0.1
中T = 25℃
0.01
0.2
导通电阻V漏极电流
I
D
漏电流( A)
V
SD
源极 - 漏极电压( V)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
源极 - 漏极二极管正向电压
ISSUE 5 - 2005年5月
半导体
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