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ZXMN10A08DN8TA 参数 Datasheet PDF下载

ZXMN10A08DN8TA图片预览
型号: ZXMN10A08DN8TA
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内容描述: 100V N沟道增强型MOSFET [100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 178 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMN10A08DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
(a)
(b)
(b)
(b)
(a)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
100
20
2.1
1.7
1.6
9
2.6
9
1.25
10
1.8
14.5
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境(一)
结到环境(二)
符号
R
θJA
R
θJA
价值
100
69
单位
° C / W
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件
( b)对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
(三)重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB , D = 0.02 ,脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线图
第4期 - 2005年1月
半导体
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