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    ZXMN10A08DN8TA 参数 Datasheet PDF下载

    ZXMN10A08DN8TA图片预览
    型号： ZXMN10A08DN8TA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 100V N沟道增强型MOSFET [100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 178 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZXMN10A08DN8TA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZXMN10A08DN8TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXMN10A08DN8TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXMN10A08DN8TA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXMN10A08DN8TA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ZXMN10A08DN8TA的Datasheet PDF文件第7页  
    ZXMN10A08DN8
    电气特性
    （在T
    A
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    门源阈值电压
    静态漏源导通电阻
    正向跨导
    (1)(3)
    动态
    (3)
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关
    (2) (3)
    (1)
    符号
    分钟。
    典型值。
    MAX 。单位条件。
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    100
    0.5
    100
    2.0
    0.25
    0.30
    5.0
    V
    A
    nA
    V
    I
    D
    = 250 A，V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =100V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    = 20V, V
    DS
    =0V
    I = 250 A，V
    DS
    = V
    GS
    D
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =3.2A
    V
    GS
    = 6V ，我
    D
    =2.6A
    V
    DS
    =15V,I
    D
    =3.2A
    S
    405
    28.2
    14.2
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    =50 V, V
    GS
    =0V,
    f=1MHz
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    栅极电荷
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    源极 - 漏极二极管
    二极管的正向电压
    (1)
    反向恢复时间
    (3)
    反向恢复电荷
    (3)
    3.4
    2.2
    8
    3.2
    4.2
    7.7
    1.8
    2.1
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    =50V,V
    GS
    =10V,
    I
    D
    =1.2A
    V
    DS
    =50V,V
    GS
    =5V,
    I
    D
    =1.2A
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    =1.2A
    R
    G
    ≅6.0
    , V
    GS
    =10V
    0.87
    27
    32
    0.95
    V
    ns
    nC
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    =3.2A,
    V
    GS
    =0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    =1.2A,
    的di / dt = 100A / S
    注意事项：
    （1）脉冲条件下进行测定。宽度
    =
    300μS 。占空比
    ≤
    2% .
    （ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
    （ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
    第4期 - 2005年1月
    半导体
    4

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