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    ZXMP4A16KTC 参数 Datasheet PDF下载

    ZXMP4A16KTC图片预览
    型号： ZXMP4A16KTC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 40V P沟道增强型MOSFET [40V P-channel enhancement mode MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 8 页 / 572 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZXMP4A16KTC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZXMP4A16KTC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXMP4A16KTC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXMP4A16KTC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXMP4A16KTC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ZXMP4A16KTC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ZXMP4A16KTC的Datasheet PDF文件第8页  
    ZXMP4A16K
    电气特性（在T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿
    电压
    V
    （ BR ） DSS
    -40
    -1
    100
    -1.0
    0.060
    0.100
    7.4
    S
    V
    A
    nA
    V
    I
    D
    = -250 A，V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-40V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±20V, V
    DS
    =0V
    I
    D
    =-250 A,
    V
    DS
    =V
    GS
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-3.8A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-2.9A
    V
    DS
    =-15V,I
    D
    =-3.8A
    符号
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    条件
    零栅极电压漏极电流I
    DSS
    门体漏
    I
    GSS
    门源阈值电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    (*)
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    正向跨导
    (*)(‡)
    g
    fs
    动态
    (‡)
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关
    (†) (‡)
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    栅极电荷
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    源极 - 漏极二极管
    二极管的正向电压
    (*)
    反向恢复时间
    (‡)
    反向恢复电荷
    (‡)
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    965
    180
    158
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    =-20V, V
    GS
    =0V,
    f=1MHz
    4.0
    6.0
    36.8
    17.1
    16.5
    29.6
    2.8
    8.1
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    =-20V,V
    GS
    =-10V,
    I
    D
    =-3.8A
    V
    DS
    =-20V,V
    GS
    =-5V,
    I
    D
    =-3.8A
    V
    DD
    = -20V ，我
    D
    =-1A
    R
    G
    =6.0 ,V
    GS
    =-10V
    -0.89
    29.8
    37.2
    -1.2
    V
    ns
    nC
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    =-3.8A,
    V
    GS
    =0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    =-3.8A,
    的di / dt = 100A / S
    注意事项：
    300μS 。占空比
    2%.
    （*）的测量脉冲条件下进行。宽度
    （ † ）的开关特性是独立的工作结温。
    （ ‡ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
    第1期 - 2006年3月
    ©捷特科PLC 2006
    4
    www.zetex.com

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