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U6264BS2A07G1 参数 Datasheet PDF下载

U6264BS2A07G1图片预览
型号: U6264BS2A07G1
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内容描述: 标准5K ×8 SRAM [STANDARD 5K X 8 SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 163 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U6264B
Switching Characteristics
Alt.
Time to Output in Low-Z
Cycle Time
Write Cycle Time
Read Cycle Time
Access Time
E1 LOW or E2 HIGH to Data Valid
G LOW to Data Valid
Address to Data Valid
Pulse Widths
Write Pulse Width
Chip Enable to End of Write
Setup Times
Address Setup Time
Chip Enable to End of Write
Write Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
Address Hold from End of Write
Output Hold Time from Address Change
E1 HIGH or E2 LOW to Output in High-Z
W LOW to Output in High-Z
G HIGH to Output in High-Z
t
LZ
t
WC
t
RC
t
ACE
t
OE
t
AA
t
WP
t
CW
t
AS
t
CW
t
WP
t
DS
t
DH
t
AH
t
OH
t
HZCE
t
HZWE
t
HZOE
Symbol
IEC
t
t(QX)
t
cW
t
cR
t
a(E)
t
a(G)
t
a(A)
t
w(W)
t
w(E)
t
su(A)
t
su(E)
t
su(W)
t
su(D)
t
h(D)
t
h(A)
t
v(A)
t
dis(E)
t
dis(W)
t
dis(G)
Min.
5
70
70
-
-
-
50
65
0
65
50
35
0
0
5
0
0
0
25
30
25
70
40
70
Max.
10
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Data Retention Mode E1-Controlled
4.5 V
V
CC(DR)
2 V
2.2 V
t
DR
0V
Data Retention
t
rec
2.2 V
E1
0V
V
CC
Data Retention Mode E2-Controlled
V
CC
V
CC(DR)
2 V
t
DR
0.8 V
Data Retention
V
E2(DR)
0.2 V
t
rec
0.8 V
E2
4.5 V
V
E2(DR)
V
CC(DR)
- 0.2 V or V
E2(DR)
0.2 V
V
CC(DR)
- 0.2 V
V
E1(DR)
V
CC(DR)
+ 0.3 V
Chip Deselect to Data Retention Time
Operating Recovery Time
t
DR
:
t
rec
:
min 0 ns
min t
cR
April 20, 2004
5