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U6264BS2A07G1 参数 Datasheet PDF下载

U6264BS2A07G1图片预览
型号: U6264BS2A07G1
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内容描述: 标准5K ×8 SRAM [STANDARD 5K X 8 SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 163 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U6264B
Write Cycle 2 (E1-controlled)
t
cW
A
i
E1
E2
W
DQ
i
Input
t
su(A)
Addresses Valid
t
w(E)
t
h(A)
t
su(E)
t
su(W)
t
su(D)
t
t(QX)
t
dis(W)
t
h(D)
Input Data Valid
High-Z
DQ
i
Output
G
Write Cycle 3 (E2-controlled)
t
cW
A
i
E1
t
su(A)
Addresses Valid
t
su(E)
t
h(A)
E2
W
DQ
i
Input
t
t(QX)
t
w(E)
t
su(W)
t
su(D)
t
dis(W)
t
h(D)
Input Data Valid
High-Z
DQ
i
Output
G
undefined
L- or H-level
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristic. Terms of
delivery and rights to change design reserved.
8
April 20, 2004