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U62H256AS2K55G1 参数 Datasheet PDF下载

U62H256AS2K55G1图片预览
型号: U62H256AS2K55G1
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内容描述: 汽车高速32K ×8 SRAM [AUTOMOTIVE FAST 32K X 8 SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 162 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U62H256A
Data Retention Mode
E - controlled
V
CC
V
CC(DR)
2 V
2.2 V
0V
t
su(DR)
Data Retention
t
rec
2.2 V
E
4.5 V
V
CC(DR)
- 0.2 V
V
E(DR)
V
CC(DR)
+ 0.3 V
Data Retention
Characteristics
Data Retention Supply Voltage
Data Retention Supply Current
Symbol
Alt.
IEC
V
CC(DR)
I
CC(DR)
V
CC(DR)
= 3 V
V
E
= V
CC(DR)
- 0.2 V
K-Type
A-Type
See Data Retention
Waveforms (above)
0
t
cR
Conditions
Min.
2
Typ.
Max.
5.5
Unit
V
6
30
µA
µA
ns
ns
Data Retention Setup Time
Operating Recovery Time
t
CDR
t
R
t
su(DR)
t
rec
Test Configuration for Functional Check
5V
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
V
CC
V
IH
V
IL
Input level according to the
relevant test measurement
Simultaneous measure-
ment of all 8 output pins
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
481
V
O
30 pF
e
E
W
G
255
V
SS
e
In measurement of t
dis(E)
,t
dis(W)
, t
en(E)
, t
en(W)
, t
en(G)
the capacitance is 5 pF.
6
April 20, 2004