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RN1961FS Datasheet技术文件下载

RN1962FE(TE85L,F)产品参数和技术文档

RN1961FS产品图

RN1962FE(TE85L,F)产品参考价格

RN1962FE(TE85L,F)产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
10 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
50 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
ES6
标准包装
4,000
其它名称
RN1962FE(TE85LF)TR RN1962FETE85LF
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: ROV20E201K RCR1010NP-220M ROV07H241K RN1973FS RBM-0512S RCR110DNP-820L RP-1512S RO2102A RM1A23D25 RM703524

服务电话: 0755-32882616 0755-32882615

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