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RN1962FE(TE85L,F)产品参数

品牌：

Toshiba Semiconductor and Storage

描述：

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

详细描述：

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

包装

带卷（TR）

零件状态

停產

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

电阻器 - 基底（R1）

10 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2）

10 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

50 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）

100nA（ICBO）

频率 - 跃迁

250MHz

功率 - 最大值

100mW

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563，SOT-666

供应商器件封装

ES6

标准包装

4,000

其它名称

RN1962FE(TE85LF)TR RN1962FETE85LF

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）

1（无限）