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  • 万三科技(深圳)有限公司

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1N5818G产品参数
型号:1N5818G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
零件包装代码:DO-41
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, CASE 59-10, 2 PIN
针数:2
制造商包装代码:59-10
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.42
其他特性:FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.33 V
JEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:25 A
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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