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  • 2DD2150R-13图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 厂家Diodes 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 厂家Diodes Incorporated 
  • 封装SOT-89-3 
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2DD2150R-13产品参数
型号:2DD2150R-13
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:DIODES INC
零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):160 MHz
Base Number Matches:1
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