2N2906A产品参数

品牌：Central Semiconductor Corp

描述：THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 1.8W Through Hole TO-18

制造商：Central Semiconductor Corp

系列：-

包装：散装

零件状态：在售

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：1.8W

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装：TO-18

标准包装：2,000

其它名称：2N2906A PBFREE 2N2906ACS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求