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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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2N3767E3产品参数
型号:2N3767E3
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.09
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-213AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHz
Base Number Matches:1
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