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  • 2N4339 MOS(场效应管)图
  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 2N4339 MOS(场效应管)
  • 数量7500 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装 
  • 批号24+ 
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  • QQ:2885393494QQ:2885393495
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  • 2N4339A图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 2N4339A
  • 数量26980 
  • 厂家VISHAY 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 2N4339
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  • 厂家Vishay 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 2N4339图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 2N4339
  • 数量9800 
  • 厂家Vishay 
  • 封装TO-18 
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2N4339产品参数
型号:2N4339
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.04
其他特性:LOW NOISE
外壳连接:GATE
配置:SINGLE
最大漏源导通电阻:1700 Ω
FET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):3 pF
JEDEC-95代码:TO-206AA
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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