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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 封装TO-92-3 
  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家Fairchild Semiconductor 
  • 封装TO-92-3 
  • 批号23+ 
  • 进口原装现货热卖
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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装TO-92 
  • 批号21+ 
  • ▲▲▲专业分销,原装现货,工厂优先▲▲▲
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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 数量150000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-92 
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  • 全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家ON Semiconductor(安森美) 
  • 封装TO-220F 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 数量12660 
  • 厂家ON 
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  • 原装正品现货,郑重承诺只做原装!
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 2N5172 PBFREE
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  • 厂家Central Semiconductor 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市捷创芯微科技有限公司

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  • 2N5172
  • 数量2019 
  • 厂家长电CJ 
  • 封装32580 
  • 批号TO-92 
  • 不止网上数量 电压齐全 长期现货
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  • 0755-83226185 QQ:1601859887QQ:1191626386
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 2N5172
  • 数量20000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-92 
  • 批号22+ 
  • 深圳现货库存,保证原装正品
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 数量7800 
  • 厂家NA 
  • 封装TO-92 
  • 批号20+ 
  • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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产品型号2N5172的概述

1. 芯片2N5172概述 2N5172是一种NPN晶体管,广泛应用于各种电子电路中。作为一种通用晶体管,它因其优良的电性能而备受青睐。2N5172具有良好的增益特性,适合用于开关和放大应用。这种晶体管的工作频率范围较广,可满足多种复杂应用的需求,因而适用于广播、电视以及其他高频率电子设备。2N5172可以在多种电压和电流条件下稳定工作,因此在数字电路和模拟电路中都得到了应用。 2. 芯片2N5172的详细参数 2N5172的电气参数主要包括: - 最大集电极电压(Vce):40V - 最大发射极电压(Veb):5V - 最大集电极电流(Ic):600mA - 直流电流增益(hFE):在相应的Ic范围内为30到300 - 频率特性(fT):一般在300MHz左右 - 功耗(Ptot):最大额定功耗为500mW - 工作温度范围:-55°C到+150°C 此外,2N5172的引脚排列为3...

产品型号2N5172的Datasheet PDF文件预览

2N5172  
TO-92  
B
C
E
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed for use as general purpose amplifiers  
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced  
from Process 10. See PN100 for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
25  
25  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
500  
mA  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N5172  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25 C  
625  
5.0  
mW  
mW/ C  
°
°
Thermal Resistance, Junction to Case  
83.3  
Rθ  
C/W  
°
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
Rθ  
C/W  
°
JA  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NPN General Purpose Amplifier  
(continued)  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage* IC = 10 mA, IB = 0  
25  
25  
V
V
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I = 10 A, I = 0  
µ
C
E
5.0  
V
I = 10 A, I = 0  
µ
E
C
VCB = 25 V, IE = 0  
VEB = 5.0 V, IC = 0  
100  
100  
nA  
nA  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
ON CHARACTERISTICS*  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = 10 V, IC = 10 mA  
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA  
VCE = 10 V, IC = 10 mA  
100  
0.5  
500  
0.25  
1.2  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
V
V
VCE(sat)  
VBE(on)  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Collector- Base Capacitance  
VCB = 10 V, f = 1.0 MHz  
1.6  
10  
pF  
Ccb  
Small-Signal Current Gain  
IC = 10 mA, VCE = 10 V,  
f = 1.0 kHz  
100  
750  
hfe  
*Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%  
TRADEMARKS  
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is  
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
ACEx™  
CoolFET™  
ISOPLANAR™  
MICROWIRE™  
POP™  
PowerTrench™  
QS™  
CROSSVOLT™  
E2CMOSTM  
FACT™  
FACT Quiet Series™  
Quiet Series™  
SuperSOT™-3  
SuperSOT™-6  
SuperSOT™-8  
TinyLogic™  
FAST®  
FASTr™  
GTO™  
HiSeC™  
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LIFE SUPPORT POLICY  
FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT  
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.  
As used herein:  
1. Life support devices or systems are devices or  
systems which, (a) are intended for surgical implant into  
the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose  
failure to perform when properly used in accordance  
with instructions for use provided in the labeling, can be  
reasonably expected to result in significant injury to the  
user.  
2. A critical component is any component of a life  
support device or system whose failure to perform can  
be reasonably expected to cause the failure of the life  
support device or system, or to affect its safety or  
effectiveness.  
PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
Definition of Terms  
Datasheet Identification  
Product Status  
Definition  
Advance Information  
Formative or  
In Design  
This datasheet contains the design specifications for  
product development. Specifications may change in  
any manner without notice.  
Preliminary  
First Production  
This datasheet contains preliminary data, and  
supplementary data will be published at a later date.  
Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
changes at any time without notice in order to improve  
design.  
No Identification Needed  
Obsolete  
Full Production  
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Semiconductor reserves the right to make changes at  
any time without notice in order to improve design.  
Not In Production  
This datasheet contains specifications on a product  
that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
配单直通车
2N5172产品参数
型号:2N5172
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:CRIMSON SEMICONDUCTOR INC
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.16
最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:10 pF
集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.62 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1
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