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  • 上海熠富电子科技有限公司

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产品型号2N5240的概述

芯片2N5240的概述 2N5240是一种硅NPN功率晶体管,广泛应用于放大和开关电路。在电子工程领域,功率晶体管是将微小的电信号转换为较大电信号的关键组件。2N5240具有较强的耐压和可靠性,使其成为各种电子设备的重要组成部分。该器件通常在高频和高功率的应用场合中表现出优越的性能,因而获得工程师和设计师的青睐。 芯片2N5240的详细参数 2N5240的主要参数如下: - 最大集电极电压 (Vce): 40V - 最大集电极电流 (Ic): 3A - 最大耗散功率 (Ptot): 30W - 直流电流增益 (hFE): 20-150(具体数值依赖于工作条件) - 工作温度范围: -55°C至 +150°C - 结温 (Tj): 150°C 这些参数表明,2N5240不仅具备良好的电气性能,同时在高温环境下也能稳定工作,适用于工业、汽车及消费电子等多个领域。 芯片2N5240的厂家、...

产品型号2N5240的Datasheet PDF文件预览

INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
2N5240  
DESCRIPTION  
·High Voltage-  
: VCEO(SUS)= 300V(Min)  
·Wide Area of Safe Operation  
APPLICATIONS  
·Designed for use in series regulators, power amplifiers,  
inverters, deflection circuits, switching regulators, and  
high-voltage bridge amplifiers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCER(SUS)  
VCEO(SUS)  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
VALUE  
375  
350  
300  
6
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
V
R
BE50Ω  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Base Current  
V
V
5
A
IB  
2
A
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
PC  
100  
200  
-65~200  
W
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
1.75  
UNIT  
Thermal Resistance,Junction to Case  
/W  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
2N5240  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TC=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
VCEO(SUS)  
VCEO(SUS)  
V(BR)EBO  
VCE(  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
300  
350  
6
TYP. MAX UNIT  
Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.2A ;IB= 0  
V
V
V
Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.2A ;RBE50Ω  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Collector Cutoff Current  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
IE= 0.02A; IC= 0  
IC= 2A; IB= 0.25A  
IC= 4.5A; IB= 1.125A  
IC= 2A ; VCE= 10V  
2.5  
5.0  
3.0  
V
V
)-1  
sat  
VCE(  
)-2  
sat  
V
VBE(  
)
on  
VCE=375V; VBE= -1.5V  
VCE=300V; VBE= -1.5V;TC= 150℃  
2
3
ICEV  
mA  
mA  
mA  
ICEO  
IEBO  
hFE-1  
hFE-2  
hFE-3  
fT  
VCE= 200V; IB= 0  
2
5
VEB= 6V; IC=0  
DC Current Gain  
IC= 0.4A; VCE= 10V  
IC= 2A; VCE= 10V  
20  
20  
5
80  
80  
DC Current Gain  
DC Current Gain  
IC= 4.5A; VCE= 10V  
IC= 0.2A; VCE= 10V  
IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1.0MHz  
Current-GainBandwidth Product  
Output Capacitance  
2
MHz  
pF  
COB  
250  
2
isc Websitewww.iscsemi.cn  
配单直通车
2N5240产品参数
型号:2N5240
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERSIL CORP
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.06
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A
基于收集器的最大容量:250 pF
集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHz
VCEsat-Max:5 V
Base Number Matches:1
  •  
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