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| 型号: | 3N209 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ASI SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.71 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
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