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3SK115产品参数
型号:3SK115
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91
Is Samacsys:N
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
最高工作温度:125 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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