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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市捷立辉科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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产品型号60EPF12的概述

芯片60EPF12的概述 60EPF12是一款广泛应用于嵌入式系统和工业控制领域的专用集成电路(IC)。该芯片具有高效能的处理能力和灵活的 I/O 接口,适合用于各种应用场景,如信号处理、数据采集和控制系统等。随着物联网技术和智能设备的发展,对高性能集成电路的需求愈加迫切,60EPF12应运而生,凭借其卓越的性能和可扩展性,受到了众多工程师和开发者的青睐。 该芯片采用了先进的制造工艺,具备良好的电源管理能力,能够在不同的工作条件下保持稳定的性能表现。60EPF12的设计理念是为开发者提供一款高性价比、易于开发的解决方案,使其在日益竞争激烈的市场中脱颖而出。 芯片60EPF12的详细参数 60EPF12的具体参数包括: - 核心处理器:具有高达60MHz的时钟频率,支持多种指令集。 - 工作电压:支持3.3V至5V的工作电压范围,适用于多种应用环境。 - 功耗:在正常工作条件下的功耗约为...

产品型号60EPF12的Datasheet PDF文件预览

Bulletin I2130 rev. B 01/01  
QUIETIR Series  
60EPF.. 60CPF.. HV  
FAST SOFT RECOVERY  
RECTIFIER DIODE  
VF < 1.2V @ 30A  
trr  
= 95 ns  
VRRM 1000 to 1200V  
Description/Features  
The 60EPF.. & 60CPF.. fast soft recovery QUIETIR  
rectifier series has been optimized for combined short  
reverse recovery time and low forward voltage drop.  
The glass passivation ensures stable reliable  
operation in the most severe temperature and power  
cycling conditions.  
Typical applications are both:  
output rectification and freewheeling in  
inverters, choppers and converters  
and input rectifications where severe  
restrictions on conducted EMI should be met.  
Major Ratings and Characteristics  
Package Outline  
Characteristics  
60EPF.. Units  
60CPF..  
I
Sinusoidal waveform  
60  
1000to1200  
700  
A
F(AV)  
V
I
range  
V
RRM  
A
60EPF..  
FSM  
V
@30A,T =25°C  
J
1.2  
V
F
60CPF..  
t
@1A,-100A/µs  
range  
95  
ns  
°C  
rr  
T
-40to150  
TO-247AC (Modified)  
J
1
60EPF.. 60CPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2130 rev. B 01/01  
Voltage Ratings  
VRRM , maximum  
peak reverse voltage  
V
VRSM , maximum non repetitive  
IRRM  
150°C  
mA  
peak reverse voltage  
V
Part Number  
60EPF10, 60CPF10  
60EPF12, 60CPF12  
1000  
1200  
1100  
1300  
8
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
60.PF..  
60  
700  
Units  
A
Conditions  
IF(AV) Max.AverageForwardCurrent  
IFSM Max.PeakOneCycleNon-Repetitive  
SurgeCurrent  
@TC=103°C,180°conductionhalfsinewave  
10msSinepulse,ratedVRRMapplied  
10msSinepulse,novoltagereapplied  
10msSinepulse,ratedVRRMapplied  
10msSinepulse,novoltagereapplied  
t=0.1to10ms,novoltagereapplied  
A
830  
I2t  
Max.I2tforfusing  
2450  
3460  
34600  
A2s  
I2t Max.I2tforfusing  
A2s  
Electrical Specifications  
Parameters  
VFM Max. ForwardVoltageDrop  
60.PF..  
1.4  
Units  
V
Conditions  
@ 60A, TJ = 25°C  
rt  
Forwardsloperesistance  
4.6  
0.9  
mΩ  
V
TJ = 125°C  
VF(TO) Thresholdvoltage  
IRM  
Max.ReverseLeakageCurrent  
0.1  
TJ = 25 °C  
mA  
VR = rated VRRM  
TJ = 150 °C  
8
Recovery Characteristics  
Parameters  
60.PF..  
480  
8
Units  
ns  
Conditions  
IF @ 60Apk  
@ 25A/ µs  
trr  
Reverse Recovery Time  
ReverseRecoveryCurrent  
ReverseRecoveryCharge  
SnapFactor  
Irr  
A
Qrr  
S
2.7  
µC  
@25°C  
0.6  
Thermal-Mechanical Specifications  
Parameters  
60.PF.. Units  
Conditions  
TJ  
Max.JunctionTemperatureRange  
-40to150  
-40to150  
0.4  
°C  
°C  
°C/W  
Tstg Max.StorageTemperatureRange  
RthJC Max.ThermalResistanceJunction  
toCase  
DCoperation  
RthJA Max.ThermalResistanceJunction  
40  
°C/W  
°C/W  
g(oz.)  
toAmbient  
RthCS TypicalThermalResistance,Caseto  
Heatsink  
0.2  
Mountingsurface,smoothandgreased  
wt  
ApproximateWeight  
6(0.21)  
6(5)  
12(10)  
T
MountingTorque  
Min.  
Kg-cm  
(Ibf-in)  
Max.  
CaseStyle  
TO-247AC  
JEDEC(Modified)  
2
www.irf.com  
60EPF.. 60CPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2130 rev. B 01/01  
150  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
60.PF.. Series  
(DC) = 0.4 C/W  
60.PF.. Series  
R
R
(DC) = 0.4 C/W  
thJC  
thJC  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
Conduction Period  
Conduction Angle  
90  
90  
120  
60  
60  
120  
30  
20  
30  
30  
180  
180  
DC  
0
10  
20  
40  
50  
60  
70  
0
40  
60  
80  
100  
Average Forw ard Current (A)  
Average Forw ard Current (A)  
Fig.1-CurrentRatingCharacteristics  
Fig.2-CurrentRatingCharacteristics  
140  
120  
100  
80  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
180  
120  
90  
60  
30  
D C  
180  
120  
90  
60  
30  
RMS Limit  
RMS Lim it  
60  
Conduction Angle  
60.PF.. Series  
Conduction Period  
60.PF.. Series  
40  
T
= 150  
C
J
20  
T
= 150 C  
J
0
0
10  
2 0  
30  
40  
5 0  
60  
70  
0
20  
40  
60  
80  
100  
Average Forward Current (A)  
Average Forw ard Current (A)  
Fig.3-ForwardPowerLossCharacteristics  
Fig.4-ForwardPowerLossCharacteristics  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
At Any Rated Load Condition And W ith  
Maximum Non Repetitive Surge Current  
Versus Pulse Train Duration.  
Rated V  
RRM  
Applied Follow ing Surge.  
Initial T = 150  
C
J
Initial T = 150  
C
J
@ 60 Hz 0.0083 s  
@ 50 Hz 0.0100 s  
No Voltage Reapplied  
Rated V Reapplied  
RRM  
60.PF.. Series  
60.PF.. Series  
1
10  
100  
0.01  
0.1  
Pulse Train Duration (s)  
1
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)  
Fig.5-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
Fig.6-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
3
www.irf.com  
60EPF.. 60CPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2130 rev. B 01/01  
1000  
60.PF.. Series  
100  
10  
1
T
T
= 25 C  
J
J
= 150  
C
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
Instantaneous Forw ard Voltage (V)  
Fig.7-ForwardVoltageDropCharacteristics  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
1200  
60.PF.. Series  
60.PF.. Series  
= 25  
T
= 150  
C
T
C
J
J
1000  
800  
600  
400  
200  
0
I
= 60 A  
FM  
30 A  
I
= 60 A  
FM  
30 A  
10 A  
5 A  
1 A  
10 A  
5 A  
1 A  
0
40  
80  
120  
160  
200  
0
40  
80  
120  
160  
200  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)  
Fig.9-RecoveryTimeCharacteristics,TJ=150°C  
Fig.8-RecoveryTimeCharacteristics,TJ=25°C  
12000  
10000  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
25000  
I
= 60 A  
60.PF.. Series  
= 25  
60.PF.. Series  
FM  
T
C
T
= 150 C  
I
= 60 A  
J
J
FM  
20000  
15000  
10000  
5000  
0
30 A  
10 A  
30 A  
10 A  
5 A  
5 A  
1 A  
1 A  
0
40  
80  
120  
160  
200  
0
40  
80  
120  
160  
200  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)  
Fig.10-RecoveryChargeCharacteristics,TJ=25°C  
Fig.11-RecoveryChargeCharacteristics,TJ=150°C  
4
www.irf.com  
60EPF.. 60CPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2130 rev. B 01/01  
60  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
60.PF.. Series  
60.PF.. Series  
= 25  
I
= 60 A  
30 A  
FM  
I
= 60 A  
30 A  
FM  
T
= 150 C  
T
C
J
J
50  
40  
30  
20  
10  
0
10 A  
5 A  
10 A  
5 A  
1 A  
1 A  
0
0
40  
80  
120  
160  
200  
0
40  
80  
120  
16 0  
200  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)  
Fig.12-RecoveryCurrentCharacteristics,TJ=25°C  
Fig.13-RecoveryCurrentCharacteristics,TJ=150°C  
1
Steady State Value  
(DC Operation)  
D = 0.50  
D = 0.33  
0.1  
D = 0.25  
D = 0.17  
D = 0.08  
0 .01  
Single Pulse  
60.PF.. Series  
0.001  
0.0001  
0.0 01  
0.01  
0.1  
1
1 0  
Square Wave Pulse Duration (s)  
Fig.14-ThermalImpedanceZthJCCharacteristics  
5
www.irf.com  
60EPF.. 60CPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2130 rev. B 01/01  
Outline Table  
3. 65 (0.144)  
5. 30 (0.209)  
4.70 ( 0.185)  
DIA.  
15.90 (0.626)  
3.55 (0.139)  
2.5 ( 0.098)  
1.5 ( 0.059)  
15.30 (0.602)  
5. 70 (0.225)  
5.30 ( 0.208)  
20.30 (0.800)  
19.70 (0.775)  
5.50 ( 0.217)  
4.50 (0.177)  
(2 PLCS.)  
1
3
14.80 ( 0.583)  
14.20 (0.559)  
4.30 (0.170)  
3.70 (0.145)  
2. 20 (0.087)  
MAX.  
2. 40 (0.095)  
MAX.  
1. 40 (0.056)  
1. 00 (0.039)  
0.80 ( 0.032)  
0. 40 (0.213)  
10. 94 ( 0.430)  
10.86 (0.427)  
Dimensionsinmillimetersandinches  
Ordering Information Table  
Device Code  
60  
E
P
F
12  
BASE  
CATHODE  
2
2
4
5
1
3
3
1
CATHODE  
1
2
-
-
CurrentRating  
ANODE  
CircuitConfiguration:  
E = Single Diode  
Package:  
P = TO-247AC (Modified)  
Type of Silicon:  
3
4
-
-
-
F = Fast Recovery  
Voltage code: Code x 100 = V  
10 = 1000V  
12 = 1200V  
5
6
RRM  
6
www.irf.com  
60EPF.. 60CPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2130 rev. B 01/01  
Outline Table  
3. 65 (0 .14 4)  
3. 55 (0 .13 9)  
5. 30 (0 .209)  
4.70 ( 0.185)  
DIA.  
15.90 (0 .626)  
15.30 (0 .602)  
2.5 ( 0.098)  
1.5 ( 0.059)  
5. 70 (0.22 5)  
5.30 ( 0.208)  
20.30 (0 .800)  
19.70 (0 .775)  
5.50 ( 0.217)  
4. 50 (0 .177)  
(2 PLCS.)  
1
2
3
14. 80 ( 0.583)  
14.20 (0 .559)  
4. 30 (0 .170)  
3. 70 (0 .145)  
2. 20 (0 .08 7)  
M AX.  
2. 40 (0 .09 5)  
M AX.  
1. 40 (0 .056)  
1. 00 (0 .039)  
0.80 ( 0.032)  
0. 40 (0 .213)  
10. 94 ( 0.430)  
10 .86 (0.427 )  
Dimensionsinmillimetersandinches  
Ordering Information Table  
Device Code  
BaseCathode  
60  
C
P
F
12  
2
2
4
5
1
3
1
2
-
-
CurrentRating  
CircuitConfiguration:  
C = Single Diode, 3 pins  
Package:  
P = TO-247AC (Modified)  
Type of Silicon:  
F = Fast Recovery  
Anode  
Anode  
1
3
3
4
-
-
-
10 = 1000V  
12 = 1200V  
5
6
Voltage code: Code x 100 = V  
RRM  
7
www.irf.com  
60EPF.. 60CPF.. HV QUIETIR Series  
Bulletin I2130 rev. B 01/01  
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105  
TAC Fax: (310) 252-7309  
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 01/01  
8
www.irf.com  
配单直通车
60EPF12产品参数
型号:60EPF12
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
零件包装代码:TO-247AC
包装说明:R-PSFM-T2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.56
Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.4 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:830 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:60 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向恢复时间:0.48 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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