我ntegrator S系列钢板˚F PG A S ： 1 2 0 0 XL和3 2 0 0 DXF amilies
3200DX器件包含第三类型的逻辑模块，
D型模块，这些模块被布置周围的外围
装置。 D-模块包含全解码电路，
提供了一种快速，大输入和功能类似于
在产品期限结构发现（图
3).
该
D-模块允许3200DX设备进行全解码
速度媲美的CPLD和PAL器件的功能。
对D-模块的输出具有一个可编程的逆变器
为高电平或低电平断言。对D-模块的输出是
硬连接到输出引脚或可反馈到
阵列到被并入其他逻辑。
双端口SRAM模块
模块可以级联在一起构成存储空间
用户可定义的宽度和深度。的框图
3200DX双端口SRAM块示于
7输入
硬线到I / O
可编程
逆变器
几个3200DX器件包含双端口SRAM模块
已经优化为同步或异步的
应用程序。 SRAM的模块被配置在256位
其可以被配置为32×8或64x4块（参照
对于
SRAM模块的一个特定装置中的数量）。 SRAM
反馈给数组
图3 -
D-模块实现
WD [7：0 ]
锁存器
[7:0]
[5:0]
写
PORT
逻辑
SRAM模块
32 ×8或64 ×4
（ 256位）
读
PORT
逻辑
锁存器
RDAD [5：0 ]
WRAD [5：0 ]
锁存器
[5:0]
读
逻辑
任
RCLK
模式
BLKEN
文
WCLK
写
逻辑
RD [7 ：0]的
路由曲目
图4 -
3200DX双端口SRAM模块
该3200DX SRAM模块是真正的双端口结构
含有独立的读写端口。每
SRAM模块包含6位读写寻址
（ RDAD [5：0 ]和WRAD [ 5：0] ，分别）为64x4位
块。当在字节模式下，最高配置的顺序
地址位（ RDAD5和WRAD5 ）不被使用。读
并写入SRAM块的端口包含独立
时钟（ RCLK和WCLK ），具有可编程的极性
提供高电平或低电平实现。该SRAM
块包含8个数据输入（WD [7： 0]）和八
输出（ RD [7：0 ] ），它被连接到的分段
垂直布线轨道。
该3200DX双端口SRAM模块提供最佳
对于需要快速高速缓存应用解决方案
FIFO和LIFO队列。 Actel的ACTgen宏生成器
提供的能力，快速设计记忆功能，
停产 - V3.0
7
ACTEL [ Actel Corporation ]
