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BD616LV4017ECP55 参数 Datasheet PDF下载

BD616LV4017ECP55图片预览
型号: BD616LV4017ECP55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 267 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE1
(1,2,4)
BS616LV4017
t
RC
ADDRESS
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ CYCLE2
(1,3,4)
CE
t
ACS
t
BA
LB,UB
t
BE
D
OUT
t
(5)
CLZ
t
BDO
t
CHZ
(5)
READ CYCLE3
(1,4)
t
RC
ADDRESS
t
OE
AA
t
OE
CE
t
OH
t
OLZ
t
CLZ
(5)
t
ACS
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ
t
BA
LB,UB
t
BE
D
OUT
NOTES:
1. WE is high in read Cycle.
2. Device is continuously selected when CE = V
IL
.
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.
4. OE = V
IL
.
5. The parameter is guaranteed but not 100% tested.
R0201-BS616LV4017
t
BDO
6
Revision 2.1
Jan.
2004