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BS616LV2019AIP70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2019AIP70图片预览
型号: BS616LV2019AIP70
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 170 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616LV2019
n
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= -40 C to +85 C)
READ CYCLE
JEDEC
PARANETER
PARAMETER
NAME
NAME
CYCLE TIME : 55ns
(V
CC
=2.7~3.6V)
MIN. TYP. MAX.
55
--
(CE)
(CE2)
(LB, UB)
--
--
--
--
(CE)
(CE2)
(LB, UB)
10
10
10
5
(CE)
(CE2)
--
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
55
55
30
--
--
--
--
30
30
30
25
--
CYCLE TIME : 70ns
(V
CC
=2.4~3.6V)
MIN. TYP. MAX.
70
--
--
--
--
--
10
10
10
5
--
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
70
35
--
--
--
--
35
35
35
30
--
O
O
DESCRIPTION
UNITS
t
AVAX
t
AVQX
t
ELQV1
t
ELQV2
t
BLQV
t
GLQV
t
ELQX1
t
ELQX2
t
BLQX
t
GLQX
t
EHQZ1
t
EHQZ2
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
BA
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
BE
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
BDO
t
OHZ
t
OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select Access Time
Data Byte Control Access Time
Output Enable to Output Valid
Chip Select to Output Low Z
Chip Select to Output Low Z
Data Byte Control to Output Low Z
Output Enable to Output Low Z
Chip Select to Output High Z
Chip Select to Output High Z
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Data Byte Control to Output High Z (LB, UB)
Output Enable to Output High Z
Data Hold from Address Change
n
SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE 1
(1,2,4)
t
RC
ADDRESS
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
R0201-BS616LV2019
5
Revision 1.3
May.
2006