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    BS616LV2020DI 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV2020DI图片预览
    型号： BS616LV2020DI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 251 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV2020DI的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    DATA RETENTION CHARACTERISTICS
    ( TA = 0 to + 70
    o
    C )
    SYMBOL
    V
    DR
    BS616LV2020
    TEST CONDITIONS
    CE1
    V
    IN
    CE1
    V
    IN
    Vcc - 0.2V or CE2
    0.2V or
    Vcc - 0.2V or V
    IN
    0.2V
    Vcc - 0.2V or CE2
    0.2V
    Vcc - 0.2V or V
    IN
    0.2V
    PARAMETER
    Vcc for Data Retention
    MIN.
    1.5
    TYP.
    (1)
    --
    MAX.
    --
    UNITS
    V
    I
    CCDR
    Data Retention Current
    Chip Deselect to Data
    Retention Time
    --
    0.1
    5
    uA
    t
    CDR
    t
    R
    0
    See Retention Waveform
    T
    RC (2)
    --
    --
    --
    --
    ns
    ns
    Operation Recovery Time
    1. Vcc = 1.5V, T
    A
    = + 25
    O
    C
    2. t
    RC
    = Read Cycle Time
    LOW V
    CC
    DATA RETENTION WAVEFORM (1)
    ( CE1 Controlled )
    Data Retention Mode
    Vcc
    V
    IH
    Vcc
    V
    DR
    1.5V
    Vcc
    t
    CDR
    CE1
    Vcc - 0.2V
    t
    R
    V
    IH
    CE1
    LOW V
    CC
    DATA RETENTION WAVEFORM (2)
    ( CE2 Controlled )
    Data Retention Mode
    Vcc
    Vcc
    V
    DR
    1.5V
    Vcc
    t
    CDR
    t
    R
    CE2
    0.2V
    CE2
    V
    IL
    V
    IL
    R0201-BS616LV2020
    5
    Revision 2.3
    April 2002

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