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BH616UV1611TIG55 参数 Datasheet PDF下载

BH616UV1611TIG55图片预览
型号: BH616UV1611TIG55
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 149 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV1611
n
开关波形(读周期)
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
(1,3,4)
t
AA
t
OH
读周期2
CE1
t
ACS1
CE2
t
CLZ
D
OUT
(6)
t
ACS2
(5,6)
t
CHZ
(5, 6)
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
t
CLZ1
CE2
t
CLZ2
LB , UB
(5)
(5)
t
OH
t
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
t
CHZ
(5)
(1,5)
t
ACS2
t
CHZ2
t
BA
t
BE
t
BDO
(2,5)
D
OUT
注意事项:
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证,但不是100 %测试。
R0201-BH616UV1611
7
修订版1.3
上柜。
2006