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    BH616UV1611TIG55 参数 Datasheet PDF下载

    BH616UV1611TIG55图片预览
    型号： BH616UV1611TIG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit]
    分类和应用： 存储静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 149 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH616UV1611TIG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH616UV1611TIG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH616UV1611TIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH616UV1611TIG55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH616UV1611TIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH616UV1611TIG55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH616UV1611TIG55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BH616UV1611TIG55的Datasheet PDF文件第10页  
    BH616UV1611
    n
    字节功能
    参数
    名字
    t
    BS
    t
    BR
    字节建立时间
    字节的恢复时间
    参数
    分钟。
    5
    5
    马克斯。
    --
    --
    单位
    ms
    ms
    CE2
    CE1
    t
    BS
    t
    BR
    字节
    n
    AC电气特性（T
    A
    = -40°C至+ 85°C ）
    读周期
    JEDEC
    PARANETER
    参数
    名字
    名字
    周期时间： 55ns
    描述
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片选择访问时间
    芯片选择访问时间
    数据字节的控制访问时间
    输出使能到输出有效
    片选到输出低Z
    片选到输出低Z
    数据字节控制到输出低Z
    输出使能到输出低Z
    芯片取消选择到输出高Z
    芯片取消选择到输出高Z
    (CE1)
    (CE2)
    (CE1)
    (CE2)
    （ LB ， UB ）
    (CE1)
    (CE2)
    （ LB ， UB ）
    分钟。
    55
    --
    --
    --
    --
    --
    10
    10
    10
    5
    --
    --
    --
    --
    10
    典型值。
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    马克斯。
    --
    55
    55
    55
    55
    25
    --
    --
    --
    --
    25
    25
    25
    25
    --
    周期：为70ns
    分钟。
    70
    --
    --
    --
    --
    --
    10
    10
    10
    5
    --
    --
    --
    --
    10
    典型值。
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    马克斯。
    --
    70
    70
    70
    70
    35
    --
    --
    --
    --
    35
    35
    35
    30
    --
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    O
    O
    t
    AVAX
    t
    AVQX
    t
    E1LQV
    t
    E2LQV
    t
    BLQV
    t
    GLQV
    t
    E1LQX
    t
    E2LQX
    t
    BLQX
    t
    GLQX
    t
    E1HQZ
    t
    E2HQZ
    t
    BHQZ
    t
    GHQZ
    t
    AVQX
    t
    RC
    t
    AA
    t
    ACS1
    t
    ACS2
    t
    BA
    t
    OE
    t
    CLZ1
    t
    CLZ2
    t
    BE
    t
    OLZ
    t
    CHZ1
    t
    CHZ2
    t
    BDO
    t
    OHZ
    t
    OH
    数据字节控制到输出高Z（ LB ， UB ）
    输出禁用输出高阻
    从地址变化数据保持
    R0201-BH616UV1611
    6
    修订版1.3
    上柜。
    2006

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