BH616UV8011
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
产业
环境
温度
-40 ℃至+ 85℃
O
O
V
CC
1.65V ~ 3.6V
到4.6V
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
W
mA
C
IN
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30 ns的
C
IO
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
参数
电源
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
测试条件
分钟。
1.65
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.4
0.6
V
CC
+0.3
(3)
单位
V
输入低电压
-0.3
--
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
V
I / O
= 0V至V
CC
,
输出漏电流
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
1.4
2.2
--
--
V
输入漏电流
--
1
uA
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
or
UB = LB = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.2毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
最大
(4)
--
--
1
0.2
0.4
--
8
12
1.5
2.0
0.5
1.0
12
15
uA
输出低电压
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
--
V
CC
-0.2
2.4
--
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
--
6
8
1.0
1.5
--
2.0
2.5
(5)
V
mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
mA
--
mA
待机电流 - CMOS
O
--
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. V
CC
=3.0V
R0201-BH616UV8011
3
调整
1.2
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
