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    BH616UV8011AIP70 参数 Datasheet PDF下载

    BH616UV8011AIP70图片预览
    型号： BH616UV8011AIP70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 234 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH616UV8011AIP70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH616UV8011AIP70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH616UV8011AIP70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH616UV8011AIP70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH616UV8011AIP70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH616UV8011AIP70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH616UV8011AIP70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH616UV8011AIP70的Datasheet PDF文件第9页  
    BH616UV8011
    AC电气特性（T
    A
    = -40
    O
    C至+ 85
    O
    C)
    读周期
    JEDEC
    PARANETER
    参数
    名字
    名字
    周期时间： 55ns
    (Vcc=3.0V)
    分钟。
    55
    --
    (CE1)
    (CE2)
    （ LB ， UB ）
    --
    --
    --
    --
    (CE1)
    (CE2)
    （ LB ， UB ）
    10
    10
    10
    5
    (CE1)
    (CE2)
    --
    --
    --
    --
    10
    典型值。
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    马克斯。
    --
    55
    55
    55
    55
    30
    --
    --
    --
    --
    25
    25
    25
    25
    --
    周期：为70ns
    (Vcc=1.8V)
    分钟。
    70
    --
    --
    --
    --
    --
    10
    10
    10
    5
    --
    --
    --
    --
    10
    典型值。
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    马克斯。
    --
    70
    70
    70
    70
    35
    --
    --
    --
    --
    30
    30
    30
    30
    --
    描述
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片选择访问时间
    芯片选择访问时间
    数据字节的控制访问时间
    输出使能到输出有效
    片选到输出低Z
    片选到输出低Z
    数据字节控制到输出低Z
    输出使能到输出低Z
    芯片选择到输出高Z
    芯片选择到输出高Z
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    AVAX
    t
    AVQX
    t
    E1LQV
    t
    E2LQV
    t
    BLQV
    t
    GLQV
    t
    E1LQX
    t
    E2LQX
    t
    BLQX
    t
    GLQX
    t
    E1HQZ
    t
    E2HQZ
    t
    BHQZ
    t
    GHQZ
    t
    AVQX
    t
    RC
    t
    AA
    t
    ACS1
    t
    ACS2
    t
    BA
    t
    OE
    t
    CLZ1
    t
    CLZ2
    t
    BE
    t
    OLZ
    t
    CHZ1
    t
    CHZ2
    t
    BDO
    t
    OHZ
    t
    OH
    数据字节控制到输出高Z（ LB ， UB ）
    输出使能到输出高Z
    从地址变化数据保持
    开关波形（读周期）
    读周期1
    (1,2,4)
    t
    RC
    地址
    t
    OH
    D
    OUT
    t
    AA
    t
    OH
    R0201-BH616UV8011
    5
    调整
    1.2
    十月
    2008

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