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    BH62UV1601AIG55 参数 Datasheet PDF下载

    BH62UV1601AIG55图片预览
    型号： BH62UV1601AIG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 217 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第9页  
    BH62UV1601
    开关波形（读周期）
    读周期1
    (1,2,4)
    t
    RC
    地址
    t
    OH
    D
    OUT
    读周期2
    (1,3,4)
    CE1
    t
    ACS1
    CE2
    t
    CLZ
    (5)
    t
    ACS2
    t
    CHZ1
    , t
    CHZ2
    (5)
    t
    AA
    t
    OH
    D
    OUT
    读周期3
    (1, 4)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    OE
    t
    OE
    CE1
    t
    CLZ1
    (5)
    CE2
    t
    CLZ2
    (5)
    D
    OUT
    t
    OLZ
    t
    ACS1
    t
    CHZ1
    (1,5)
    t
    OHZ
    (5)
    t
    OH
    t
    ACS2
    t
    CHZ2
    (2,5)
    注意事项：
    1.我们是高读周期。
    2.设备不断选择当CE1 = V
    IL
    和CE2 = V
    IH
    .
    3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
    4. OE = V
    IL
    .
    5.转换测量
    ±
    为500mV从稳定状态用C
    L
    = 5pF的。
    该参数是保证，但不是100 ％测试。
    R0201-BH62UV1601
    5
    调整
    1.2
    10月
    2008

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