欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BH62UV1601AIG55 参数 Datasheet PDF下载

BH62UV1601AIG55图片预览
型号: BH62UV1601AIG55
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 217 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第8页  
BH62UV1601
修订历史
版本号
1.0
1.1
1.2
历史
最初的生产版本
更改I级工作温度范围
- -25
O
C至-40
O
C
改变-55 55ns (最大)在V
CC
= 1.65 〜 3.6V到
55ns (最大)在V
CC
= 3.0V ,并为70ns (最大) ,在
V
CC
=1.8V
待机电流的典型值被替换为
在Featues和说明最大值
部分
在(引线)封装材料: - 删除“正常”
订购信息
草案日期
五月10,2006
五月。 25 , 2006年
2008年10月31日
备注
初始
R0201-BH62UV1601
9
调整
1.2
10月
2008