NESG2031M05-T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NESG2031M05-T1
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内容描述：	NPN硅锗高频三极管 [NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	13 页 / 788 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

NESG2031M05

绝对最大额定值

= 25°C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

参数

单位

°C

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

评级

13.0

5.0

1.5

175

150

热阻

符号

第j个-C

参数

结到外壳热阻

单位

° C / W

评级

待定

订购信息

产品型号

NESG2031M05-T1

QUANTITY

3千件/卷

供货形式

•引脚3 （珍藏）， 4针

（发射极）面对穿孔

•8毫米宽的压花

TAPING

NESG2031M05 -T1 -A 3千件/卷

•铅免费

•引脚3 （珍藏）， 4针

（发射极）面对穿孔

•8毫米宽的压花

TAPING

-65到+150

注意：

1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致

在永久性损坏。

2.安装在1.08厘米

×1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板。

典型性能曲线

= 25ºC)

总功耗对比

环境温度

总功率耗散，P

合计

（ mW）的

安装在玻璃环氧树脂印刷电路板

（ 1.08厘米

1.0毫米（ t））的

200

175

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容，C

（PF ）

0.3

F = 1 MHz的

250

0.2

150

100

0.1

100

125

150

环境温度，T

(°C)

集电极 - 基极电压，V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

= 1 V

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

= 2 V

集电极电流IC （MA ）

0.1

集电极电流IC （MA ）

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基地发射极电压，V

(V)

基地发射极电压，V

(V)

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