的MoBL
®
CY62148EV30
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................. 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在..........................................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
........................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
.....................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
产品
CY62148EV30
范围
环境
温度
V
CC
Ind'l /自动在-40°C至+ 85°C 2.2V至3.6V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V对于VFBGA和
TSOP II封装
对于SOIC封装
V
CC
= 2.7V至3.6V VFBGA和
TSOP II封装
对于SOIC封装
I
IX
I
OZ
I
CC
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ max）的
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
–1
–1
15
2
1
+1
+1
20
2.5
7
–0.3
0.8
–0.3
–1
–1
15
2
1
0.6
+1
+1
20
2.5
7
μA
μA
μA
mA
1.8
2.2
–0.3
- 45 （ Ind'l /自动-A ）
最小值典型值
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V 1.8
V
CC
+ 0.3V 2.2
0.6
–0.3
0.4
最大
2.0
2.4
0.2
0.4
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
- 55
最小值典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60V
I
SB2 [9]
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V,
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
当前的 - 的CMOS F = 0 ，V
CC
= 3.60V
输入
1
7
1
7
μA
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全面的设备交流操作假定至少100
μs
从0减速时间到V
CC（分钟）
和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
8.在直流条件下的设备满足V
IL
0.8V的（对于V
CC
2.7V至3.6V ）和0.6V的范围（ V
CC
范围为2.2V至2.7V ） 。然而，在动态条件下
施加于器件的输入低电压不能大于0.6V和0.4V为上述范围更高。这是只适用于SOIC封装。请参阅
AN13470了解详细信息。
9.只有芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05576牧师* G
第12页3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
