CY7C024/024A/0241
CY7C025/0251
开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE[15]
t
美国能源部
读周期时间
地址到数据有效
从地址输出保持
变化
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
3
10
3
10
0
15
15
15
12
12
0
0
12
10
0
10
0
30
25
0
50
35
25
20
20
0
0
20
15
0
15
0
60
35
0
25
25
35
30
30
0
0
25
15
0
20
0
70
45
3
15
0
25
35
55
35
35
0
0
35
20
0
25
3
15
10
3
15
3
20
0
55
55
15
15
3
25
13
3
20
3
25
25
25
3
35
20
3
25
35
35
3
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
7C024 / 024A / 0241-15 7C024 / 024A / 0241-25 7C024 / 024A / 0241-35 7C024 / 024A / 0241-55
7C025/0251–15
7C025/0251–25
7C025/0251–35
7C025/0251–55
单位
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
t
LZOE [ 16 ， 17 ， 18 ]
OE低到低Z
t
HZOE [ 16 ， 17 ， 18 ]
OE高到高Z
t
LZCE [ 16 ， 17 ， 18 ]
CE低到低Z
t
HZCE [ 16 ， 17 ， 18 ]
CE高到高阻
t
PU[18]
t
PD[18]
t
ABE[15]
写周期
t
WC
t
SCE[15]
t
AW
t
HA
t
SA[15]
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE [17 ， 18 ]
t
LZWE [17 ， 18 ]
t
WDD[19]
t
DDD[19]
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效阅读
数据有效
CE低到通电
CE高到掉电
字节使能存取时间
笔记
14.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V ，并指定我的输出负载
OI
/I
OH
和30 pF负载电容。
15.要存取RAM ， CE = L ， UB = L ， SEM = H 。要访问信号量， CE = H和扫描电镜= L 。任何一个条件必须是适用于整个吨
SCE
时间。
16.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
17.使用测试条件负载3 。
18.此参数是保证，但未经测试。
19.有关端口到端口延迟通过RAM单元的信息写入端口读取端口，请参阅
文件编号： 38-06035牧师* D
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
