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CY7C1352B-100AC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1352B-100AC图片预览
型号: CY7C1352B-100AC
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内容描述: 256K ×18 Pipilined SRAM与NOBL架构 [256K x 18 Pipilined SRAm with NoBL Architecture]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 190 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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初步
开关波形
READ / WRITE /取消选择序列
DESELECT
暂停
CY7C1352B
DESELECT
CLK
t
CH
t
CL
t
CYC
t
CENS
t
CENH
CEN
t
AS
t
AH
CEN HIGH块
所有的同步输入
RA3
RA4
WA5
RA6
RA7
地址
RA1
WA2
WE &
BWS
[1:0]
t
WS
t
WH
t
CES
t
CEH
CE
t
DS
t
DH
D2
In
t
CHZ
t
DOH
Q3
1a
OUT
Q4
OUT
D5
In
Q6
OUT
t
CHZ
Q7
OUT
t
CLZ
t
DOH
Q1
1a
OUT
数据 -
IN / OUT
设备
原来
取消
t
CO
的WE & BWS组合
[1:0]
定义了一个写周期(见写周期说明表) 。
CE是CE的组合
1
,CE
2
和CE
3
。所有芯片能使需要激活,以便选择
该设备。任何芯片使能取消该设备。 RAx上表示读地址X,蜡代表
写地址X,的Dx表示数据中的位置的​​X, QX代表了数据输出的位置X. ADV / LD保持为低。
OE保持低电平。
= DO NOT CARE
=理解过程把网络定义
9
DESELECT