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CY7C144-15AC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C144-15AC图片预览
型号: CY7C144-15AC
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内容描述: 8K X 8/9双口静态RAM与SEM , INT , BUSY [8K x 8/9 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 609 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C144
CY7C145
开关波形
(续)
写周期第1号: OE三态数据的I / O (任一端口)
t
WC
地址
t
SCE
SEM或CE
t
AW
读/写
t
SA
DATA IN
t
PWE
t
SD
数据有效
t
HD
t
HA
OE
t
HZOE
数据输出
高阻抗
t
LZOE
写周期2: R / W三态数据的I / O (任一端口)
t
WC
地址
t
SCE
SEM或CE
t
SA
t
AW
t
PWE
t
HA
读/写
t
SD
DATA IN
t
HZWE
数据输出
DataValid
t
HD
t
LZWE
高阻抗
注意事项:
存储器21内写入时间由CE或扫描电镜低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写,而无论是信号
可以通过去HIGH终止写。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
22.如果OE是低电平期间, R / W控制的写周期,写脉冲宽度必须满足t较大
PWE
或(T
HZWE
+ t
SD
),以允许在I / O驱动器关闭和数据,以
被放置在总线上用于所需吨
SD
。如果OE为高电平期间,一个R / W控制的写周期(如在本例中) ,这要求不适用和写
脉冲可短至指定吨
PWE
.
23. R / W必须在所有的地址转换为高。
24.数据I / O引脚输入当OE为写操作期间保持低电平高阻抗。
文件编号: 38-06034牧师* C
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