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CY7C199-12VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C199-12VC图片预览
型号: CY7C199-12VC
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内容描述: 32K x 8静态RAM [32K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 315 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C199
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
(引脚28至引脚14) ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C199-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
O
& LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
L
米尔
5
5
5
0.5
0.05
0.5
0.05
30
5
10
0.05
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
120
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
110
85
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
160
85
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
155
100
180
30
5
10
0.05
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB1
自动CE
掉电
电流 - TTL
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
Com'l
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
,
L
V
IN
& GT ; V
IH
or
V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
- 0.3V L
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
& LT ; 0.3V , F = 0英里
I
SB2
阴影区域包含预览。
注意事项:
1. V
IL
(分) = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
文件编号: 38-05160牧师**
第16页2