CY7C199
开关特性
在整个工作范围
[3, 7]
7C199-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[8,9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9]
WE高到低Z
[8]
3
8
7
7
0
0
7
5
0
5
3
0
8
10
7
7
0
0
7
5
0
6
3
3
4
0
10
12
9
9
0
0
8
8
0
7
3
0
5
3
5
0
12
15
10
10
0
0
9
9
0
7
3
8
4.5
0
5
3
5
0
15
8
8
3
10
5
0
5
3
7
10
10
3
12
5
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C199-10
分钟。
马克斯。
7C199-12
分钟。
马克斯。
7C199-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10, 11]
阴影区域包含预览。
注意事项：
7.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5纳秒或更少的信号转换时间-20和较慢的速度，时序1.5V的参考电平，
0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05160牧师**
第16页5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
