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    CY7C1356C-166AXC 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C1356C-166AXC图片预览
    型号： CY7C1356C-166AXC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）流水线SRAM与NOBL ™架构 [9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 32 页 / 1078 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C1356C-166AXC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY7C1356C-166AXC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C1356C-166AXC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CY7C1356C-166AXC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号CY7C1356C-166AXC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号CY7C1356C-166AXC的Datasheet PDF文件第13页浏览型号CY7C1356C-166AXC的Datasheet PDF文件第14页浏览型号CY7C1356C-166AXC的Datasheet PDF文件第15页  
    CY7C1354C ， CY7C1356C
    部分写周期说明
    下表列出了部分写入周期描述为CY7C1356C 。
    [10, 11, 12, 13]
    功能（ CY7C1356C ）
    读
    写 - 不写字节
    写字节A
     （ DQ
    a
    和DQP
    a)
    写字节B - （ DQ
    b
    和DQP
    b)
    写两个字节
    WE
    H
    L
    L
    L
    L
    BW
    b
    x
    H
    H
    L
    L
    BW
    a
    x
    H
    L
    H
    L
    笔记
    10， X = “无需关注” ， H =逻辑高电平，L =逻辑低电平， CE代表所有的芯片使活跃。 BWX = L表示至少有一个bytewrite选择是积极的， BWX =有效的意味
    所期望的字节写选择都有效，请参见写周期说明表的详细信息。
    11.写由WE和BWX定义。见写周期说明表的详细信息。
    12.当检测到写入周期，所有的I / O是三态，即使是在字节写入。
    13.表只列出的字节写入组合的部分列表。 BW的任何组合
    X
    是有效的。适当的写操作将在此基础上写字节是活动的进行。
    文件编号： 38-05538牧师* K
    第11页共32
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