CY7C132 ， CY7C136
CY7C136A ， CY7C142 ， CY7C146
开关特性
在整个工作范围（速度-15 ， -25 ， -30 ）
[8]
（续）
7C136-15
7C146-15
民
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD
t
DDD
t
WDD
t
WINS
t
EINS
t
插件
t
OINR
t
EINR
t
INR
周期
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
R / W脉宽
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
后BUSY LOW R / W低
R / W后， BUSY高高
繁忙的有效数据
写数据有效读取数据有效
写脉冲数据延迟
R / W中断设置时间
CE中断设置时间
地址，中断设置时间
OE中断复位
时间
[4]
参数
描述
7C132-25
[4]
7C136-25
7C142-25
7C146-25
民
25
20
20
2
0
15
15
0
最大
7C132-30
7C136-30
7C142-30
7C146-30
民
30
25
25
2
0
25
15
0
最大
单位
最大
15
12
12
2
0
12
10
0
10
0
15
15
15
15
5
0
13
15
注15
注15
15
15
15
15
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
ns
ns
20
20
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
注15
注15
25
25
25
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
0
20
20
20
20
5
0
20
25
注15
注15
25
25
25
25
25
25
5
0
30
0
忙/中断时序
中断时序
CE中断复位时间
地址，中断复位
时间
阴影区域包含的初步信息。
笔记
存储器12内写入时间由CE低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的上升沿。
13.这些参数是从所述输入信号变化的测定，直到输出引脚为高阻抗状态。
14. CY7C142 / CY7C146只。
15.在端口A ，其中A端口的优先级写操作，叶端口B的输出不受干扰，直到下一个后一个访问时间的数据：
忙对端口B变为高电平。
端口B的地址切换。
CE端口B被触发。
端口B R / W在有效读取被触发。
16. 52引脚PLCC ，只有PQFP版本。
文件编号： 38-06031牧师* G
第15个5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
