CY7C4421/4201/4211/4221
CY7C4231/4241/4251
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度...................................- 65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用...............................................- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻状态............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ±10%
5V ±10%
引脚德网络nitions
针
D
0–8
Q
0–8
WEN1
名字
数据输入
数据输出
写使能1
I / O
I
O
I
数据输入9位总线
数据输出的9位总线
唯一的写使能有可编程的标志配置设备时。数据
写在WCLK的低到高的转变时WEN1被断言和FF高。
如果FIFO被配置为具有两个写使能，数据被写在低到高的
WCLK过渡时WEN1为低和WEN2 / LD和FF都高。
如果高在复位时，该引脚作为第二个写使能。如果低电平复位时，该引脚
作为一个控制写入或读取的可编程标志偏移。 WEN1必须
LOW和WEN2必须为高电平将数据写入FIFO中。数据将不被写入FIFO
如果FF低。如果FIFO被配置为具有可编程的标志， WEN2 / LD保持低
写入或读取的可编程标志偏移。
实现了设备的读操作
上升沿时钟数据转换成时WEN1为LOW先进先出， WEN2 / LD为高电平，且
FIFO非满。当LD被断言， WCLK将数据写入到可编程标志污损
注册。
上升沿时钟数据从FIFO中取出时REN1和REN2都为低电平并且FIFO
是不是空的。当WEN2 / LD为低， RCLK读出的数据的可编程标志偏移
注册。
当EF为低电平时， FIFO为空。 EF同步到RCLK 。
当FF为低电平时， FIFO满。 FF同步到WCLK 。
当PAE为低电平时，FIFO几乎是空的基础上，几乎是空的偏移值亲
编程到FIFO。
当PAF为低电平时，FIFO几乎完全基于编入几乎满的偏移值
FIFO中。
重置设备以空状态。之前的初始读或写操作需要复位
上电后运行。
当OE为低电平时，FIFO的数据输出驱动它们所连接的总线。如果OE是
HIGH时，FIFO的输出为高阻（高阻）状态。
描述
WEN2 / LD双写使能2
模式引脚
负载
I
I
REN1 ， REN2
WCLK
读使能
输入
写时钟
I
I
RCLK
读时钟
I
EF
FF
PAE
PAF
RS
OE
空标志
满标志
可编程
几乎是空的
可编程
几乎满
RESET
OUTPUT ENABLE
O
O
O
O
I
I
注意：
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
文件编号： 38-06016修订版**
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
