欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BTD5510F3 参数 Datasheet PDF下载

BTD5510F3图片预览
型号: BTD5510F3
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 165 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
 浏览型号BTD5510F3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTD5510F3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTD5510F3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTD5510F3的Datasheet PDF文件第5页  
CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
结温
储存温度
注: * 1 。单脉冲Pw = 100毫秒
规格。编号: C658F3
发行日期: 2005年8月23日
修订日期:
页页次: 2/5
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
PD (T
A
=25℃)
PD (T
C
=25℃)
R
θJA
R
θJC
Tj
TSTG
范围
250
250
10
15
2
60
62.5
2.08
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
° C / W
° C / W
°C
°C
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
CE ( SAT )
3
*V
CE ( SAT )
4
*V
CE ( SAT )
5
*V
BE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE
分钟。
250
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1000
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
100
100
5
780
1.4
1.3
1.2
1.1
2
1.8
-
单位
V
V
µA
µA
mA
mV
V
V
V
V
V
V
-
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
CE
= 250V ,我
E
=0
V
CB
= 250V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
=的200mA,我
B
=300uA
I
C
= 10A ,我
B
=250mA
I
C
= 7A ,我
B
=50mA
I
C
= 5A ,我
B
=20mA
I
C
= 4A ,我
B
=5mA
I
C
= 8A ,我
B
=15mA
V
CE
= 4V ,我
C
=8A
V
CE
= 10V ,我
C
=5A
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380µs,
值班Cycle≤2 %
BTD5510F3
CYStek产品规格