BTD5510F3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD5510F3
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内容描述：	NPN外延平面晶体管 [NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 165 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

特性曲线

电流增益VS集电极电流

100000

的hFE

规格。编号： C658F3

发行日期： 2005年8月23日

修订日期：

页页次： 3/5

饱和电压与集电极电流

10000

饱和电压--- （MV ）

VCE=4V

VCE(SAT)@IC=1000IB

电流增益---

的hFE

10000

1000

VCE=2V

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

100000

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

100000

饱和电压与集电极电流

10000

饱和电压--- （MV ）

VCE(SAT)@IC=250IB

饱和电压与集电极电流

10000

VCE(SAT)@IC=500IB

1000

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

100000

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

100000

饱和电压与集电极电流

10000

饱和电压--- （MV ）

VBE(SAT)@IC=250IB

在电压随集电极电流

10000

VBE(ON)@VCE=4V

1000

对电压--- （MV ）

1000

100

1000

10000

100000

集电极电流IC --- （MA ）

100

1000

10000

100000

集电极电流IC --- （MA ）

BTD5510F3

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