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BTD882I3 参数 Datasheet PDF下载

BTD882I3图片预览
型号: BTD882I3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 230 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*h
FE
1
*h
FE
2
f
T
COB
分钟。
40
30
5
-
-
-
-
150
180
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
90
45
马克斯。
-
-
-
1
1
0.5
2
-
560
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
-
-
兆赫
pF
规格。编号: C848I3 -H
发行日期: 2003年4月2日
修订日期: 2009.02.04
页页次: 2/6
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
V
CE
= 2V ,我
C
=20mA
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1A , F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380μs,
值班Cycle≤2 %
分类h及
FE
2
范围
P
180~390
E
270~560
订购信息
设备
BTD882I3
TO-251
(符合RoHS )
航运
80个/管, 50支/盒, 10盒/箱
记号
D882
BTD882I3
CYStek产品规格