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    BTD882I3 参数 Datasheet PDF下载

    BTD882I3图片预览
    型号： BTD882I3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 230 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTD882I3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTD882I3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTD882I3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTD882I3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BTD882I3的Datasheet PDF文件第6页  
    CYStech电子股份有限公司
    特性曲线（续）
    饱和电压与集电极电流
    10000
    饱和电压--- （MV ）
    VBE(SAT)@IC=10IB
    规格。编号： C848I3 -H
    发行日期： 2003年4月2日
    修订日期： 2009.02.04
    页页次： 4/6
    电容VS反向偏置电压
    1000
    ---电容（PF ）
    兴业银行
    100
    1000
    COB
    100
    1
    10
    100
    1000
    集电极电流IC --- （MA ）
    10000
    10
    0.1
    1
    10
    反向偏置电压--- （ V）
    100
    功率降额曲线
    1.2
    功耗--- PD （ W）
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    功率降额曲线
    功耗--- PD （ W）
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    环境温度--- TA （ ℃ ）
    175
    200
    0
    25
    50
    75 100 125 150
    外壳温度--- TC （ ℃ ）
    175
    200
    BTD882I3
    CYStek产品规格

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