epc700/epc702
应用信息
epc700和epc702有操作，其中SENS引脚被用于定义模式的两个模式。当SENS连接到VDD ，芯片
作为一个能够下沉最多下沉式驱动器。 50毫安在30VDC （参见图6）。负载V之间的直接连接
L
和OUT引脚。
如果电流通过内部开关超过我
SENS
时，开关被关断。
如果SENS引脚为低电平时，OUT引脚由源极驱动器还能够以驱动50毫安到外部电源晶体管驱动。这
模式被使用，如果所需的输出电流必须小于50mA时如更高图1A和输出电压超过30VDC （参见图7）。
在负载电流是通过监测在一个电阻上的电压降进行测量。如果内部开关的情况下，也将当前测量
电阻器位于内部（图6） 。在使用外部电源晶体管的情况下，如图7所示，电流测量
电阻R
S
已被放置在外部。如果在R上的电压降
S
超过200毫伏的阈值，输出级被禁用。时机
的信号的示意图，可以发现在节“功能说明” 。
在IN信号必须在上电期间为低（T
启动
）为芯片的正常功能。该epc70x有一个内置的下拉电阻，所以不
启动过程中所需的外部有源驱动。
epc700或epc702使用内部开关
模式下， SENS引脚必须连接到VDD。需要注意的是在芯片的VDD和
V
L
在负载可具有不同的值。为VDD和V的值
L
需
与9.6和30V 。
该系数f
rt
最小值之间的关断时间和延迟时间必须保持，以便
没有芯片因过热而损坏。这个因素必须高于1,000 。在
在最坏的情况下大约的峰值电流。 0.5A从V流
L
在30V到
用叔芯片
DEL
在50μs的设置，如果发生短路。如果恢复时间t
minOFF
在这
情况是小则50ms的时间，平均功耗会超过安全
操作条件和设备将被损坏。
二极管D
1
是保护内部开关，以免电压脉冲感应时
负载断开。
R1是非常时，以保护内部开关在短路情况下的负载
低阻抗的电源被使用。
电压V
L
可以在该结构是高于VDD 。然而，它不能是
上述“电源电压”的最大值表中的电气Characte-说
ristics 。
VDD
V
L
≤VDD最大
VDD
D
L
R
L
epc700
epc702
OUT
IN
状态
GND
SENSE
R1≥50Ω
GND
图6 ： epc700或epc702使用内部开关
带动了负载50mA的电流/ 30VDC
epc700或epc702使用外部开关晶体管
1
为了延长
V
L
≤VDD最大
VDD
输出电流/电压驱动能力。在本实施例中，双极晶体管的情况下，
而基极电流由电阻R的限制
B
。最大基极电流为
50毫安。为了不损坏芯片，该用户必须选择电阻器R
B
这样
芯片不需要超过50mA至驱动更多。其他可能的开关是一个NPN型双极结型晶体管
D
L
R
L
VDD
或一个n沟道MOSFET 。
epc700
epc702
负载由分别设置在所述销到高到低电平导通和截止。
R1≥50Ω
V
L
VDD
VDD
D
L
R
L
epc700
epc702
OUT
IN
状态
GND
SENSE
R1
当负载被接通时，该
OUT
从V电流FL OWS
L
通过电阻器R
S
和
负载
通过晶体管T
1
到GND 。此电流产生R上的电压降
S
。该
产生的电压是
IN
适用于针SENS ，测量的电压降。如果
超出了内部比较器，设置为200 mV的阈值时，输出关闭
状态
SENSE
经过给定的延迟时间t
DEL
.
GND
T1
R
T
C
T
R
SENSE
如果延迟时间应延长到上述值T的可能的设置
DEL
（请参阅
表3 ） ， RC网络可添加，指定为R
T
和C
T
在图7中
额外的延时T
EXT
GND
可大约计算。为R
T
乘C
T
。然而，该
文件： Unbenannt
可以
时间
这份文件是保密的，由法律，国际贸易保护。它不能被显示给任何第三方，也没有任何被复制
GND
根据当前至R而变化
S
。这样的设计概念是特别有用的，
图7： epc700或epc702操作模式
当一个大电容负载路径需要进行充电。在附加的延迟
用外部开关晶体管。
该过电流检测有助于这种情况。
在发生短路的负载的关断延迟
需要注意的是在芯片和V的VDD
L
上的载荷是不同的，在大多数的应用中
可通过外部RC网络进行扩展。
系统蒸发散。的VDD的值必须是9.6和30V之间。 V
L
相反，可以在一个水平
这个网络增加了吨
EXT
到内部延时T
DEL
.
这是适当的外部开关晶体管。
二极管D
1
是保护晶体管T
1
防电压浪涌时，感性负载关断。
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特性如有变更，恕不另行通知
6
数据epc700_702 - V2.2
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迪特尔·卡吉
25.05.2011
第1页
EPC [ ESPROS PHOTONICS CORP ]
