2N3906 / MMBT3906 / PZT3906
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CE
= 30 V, V
BE
= 3.0 V
V
CE
= 30 V, V
BE
= 3.0 V
40
40
5.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益*
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
60
80
100
60
30
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.65
0.25
0.4
0.85
0.95
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
（ MMPQ3906除外）
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 100千赫
I
C
= 100
µA,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 10 Hz至15.7千赫
250
4.5
10.0
4.0
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
（ MMPQ3906除外）
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 3.0 V, V
BE
= 0.5 V,
I
C
= 10 mA时，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0 V，I
C
= 10毫安
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
35
35
225
75
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
PNP （ IS = 1.41f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 18.7 BF = 180.7 NE = 1.5伊势= 0 IKF = 80米XTB = 1.5 BR = 4.977 NC = 2的Isc = 0 Ikr的= 0
RC = 2.5 CJC = 9.728p建超= 0.5776 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 8.063p MJE = 0.3677 VJE = 0.75 TR表示33.42n铁蛋白= 179.3p ITF = 0.4
VTF = 4 XTF = 6的Rb = 10 ）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
