2N3906 / MMBT3906 / PZT3906
PNP通用放大器
（续）
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N3906
625
5.0
83.3
200
最大
*PZT3906
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
符号
P
D
R
θJA
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
最大
**MMBT3906
350
2.8
357
MMPQ3906
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
**
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
250
VCE = 1V
125 °C
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
β
= 10
0.25
0.2
25 °C
200
150
0.15
0.1
125 ºC
25 °C
100
- 40 °C
0.05
- 40 ºC
50
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10 20
50 100
I
C
- 集电极电流（毫安）
0
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
200
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
β
= 10
- 40 ºC
25 °C
125 ºC
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
125 ºC
- 40 ºC
25 °C
0.4
0.2
0
0.1
V
CE
= 1V
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 66
200
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 66
25
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
